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BSS223PWH6327XTSA1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 250+ | 0,0729 € |
| 1000+ | 0,0583 € |
| 7500+ | 0,0292 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS223PWH6327XTSA1
Bestellnummer2617469RL
ProduktpaletteOptiMOS
Auch bekannt alsBSS223PW H6327, SP000843010
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.2ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.900mV
Verlustleistung250mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
390mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
900mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001