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BSS138WH6433XTMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0762 € |
| 1000+ | 0,0619 € |
| 5000+ | 0,0534 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS138WH6433XTMA1
Bestellnummer2839437RL
ProduktpaletteSIPMOS
Auch bekannt alsBSS138W H6433, SP000917558
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id280mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.1ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSIPMOS
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
280mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.1ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SIPMOS
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BSS138WH6433XTMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung