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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS138NH6327XTSA2
Bestellnummer2432717
Auch bekannt alsBSS138N H6327, SP000919330
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
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50+ | 0,115 € |
250+ | 0,0654 € |
1000+ | 0,0615 € |
9000+ | 0,0387 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS138NH6327XTSA2
Bestellnummer2432717
Auch bekannt alsBSS138N H6327, SP000919330
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.2ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung360mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- n-Kanal-SIPMOS®-Kleinsignaltransistor (60V, 0.23A) in einem 3-poligen SOT-23-Gehäuse
- Anreicherungstyp
- Logikpegel
- Spannungsänderungsrate dV/dt
- Qualifiziert nach AEC Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
230mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
360mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSS138NH6327XTSA2
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006