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BSS126IXTSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,314 € |
| 10+ | 0,193 € |
| 100+ | 0,0924 € |
| 500+ | 0,0905 € |
| 1000+ | 0,0896 € |
| 5000+ | 0,0878 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS126IXTSA1
Bestellnummer3582445
ProduktpaletteSIPMOS
Auch bekannt alsBSS126I, SP005425148
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id21mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand280ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSIPMOS
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
21mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
280ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SIPMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000272
Produktnachverfolgung