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BSP92PH6327XTSA1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSP92PH6327XTSA1
Bestellnummer4319020
ProduktpaletteSIPMOS Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1000+ | 0,214 € |
| 3000+ | 0,168 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1000
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214,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSP92PH6327XTSA1
Bestellnummer4319020
ProduktpaletteSIPMOS Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand7.5ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung1.8W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSIPMOS Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
260mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
SIPMOS Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung