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BSP324H6327XTSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 200+ | 0,393 € |
| 500+ | 0,326 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSP324H6327XTSA1
Bestellnummer2617431RL
ProduktpaletteSIPMOS
Auch bekannt alsBSP324 H6327, SP001058786
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds400V
Dauer-Drainstrom Id170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand13.6ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung1.8W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSIPMOS
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
170mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
400V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
13.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
SIPMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009072
Produktnachverfolgung