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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSP318SH6327XTSA1
Bestellnummer2480638RL
Auch bekannt alsBSP318S H6327 , SP001058838
Technisches Datenblatt
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSP318SH6327XTSA1
Bestellnummer2480638RL
Auch bekannt alsBSP318S H6327 , SP001058838
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.09ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung1.8W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- SIPMOS®-n-Kanal-Kleinsignaltransistor (60V, 2.6A) in einem 4-poligen SOT-223-Gehäuse
- Anreicherungstyp
- Avalanche-fähig
- Logikpegel
- Spannungsänderungsrate dV/dt
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.6A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.09ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000217
Produktnachverfolgung