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BSL211SPH6327XTSA1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,310 € |
| 500+ | 0,261 € |
| 1000+ | 0,236 € |
| 5000+ | 0,170 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSL211SPH6327XTSA1
Bestellnummer2709901RL
ProduktpaletteOptiMOS P
Auch bekannt alsBSL211SP H6327, SP001100652
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.054ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.900mV
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS P
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.7A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.054ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
900mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS P
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSL211SPH6327XTSA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
Produktnachverfolgung