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BSC600N25NS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC600N25NS3GATMA1
Bestellnummer2432713RL
Auch bekannt alsBSC600N25NS3 G, SP000676402
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 2,300 € |
| 250+ | 1,870 € |
| 1000+ | 1,650 € |
| 3000+ | 1,620 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC600N25NS3GATMA1
Bestellnummer2432713RL
Auch bekannt alsBSC600N25NS3 G, SP000676402
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSC600N25NS3 G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mithilfe der führenden OptiMOS™-Technologie hergestellt wird. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung in 48V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Invertern.
- Branchenweit niedrigster Durchgangswiderstand (RDS(ON))
- Äußerst niedriger Qg und Qgd
- Weltweit niedrigste Gütezahl (FOM), MSL1
- Höchster Wirkungsgrad
- Höchste Leistungsdichte
- Minimaler Platzbedarf auf der Platine
- Erforderliche Parallelschaltung von Bausteinen minimal
- Umweltfreundlich
- Vereinfachtes Produktdesign
- Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und Synchrongleichrichtung
- Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Beleuchtung, Audio
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
25A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000152