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BSC076N06NS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC076N06NS3GATMA1
Bestellnummer2443422RL
Auch bekannt alsBSC076N06NS3 G, SP000453656
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,635 € |
| 500+ | 0,487 € |
| 1000+ | 0,425 € |
| 5000+ | 0,386 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC076N06NS3GATMA1
Bestellnummer2443422RL
Auch bekannt alsBSC076N06NS3 G, SP000453656
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0062ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung69W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSC076N06NS3 G handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen (SNT). Zudem kann er für zahlreiche industrielle Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Mikro-Solarwechselrichter und DC/DC-Wandler mit hoher Schaltfrequenz.
- Hervorragendes Gateladung x RDS (ON)-Produkt (FOM)
- Sehr geringer Durchgangswiderstand RDS(ON)
- Ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz
- Schutzart: MSL1
- Höchster Systemwirkungsgrad
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Höhere Leistungsdichte
- Sehr geringes Spannungsüberschwingen
- Herausragender Wärmewiderstand
- Normal-Level
- 100% Avalanche-getestet
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
69W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0062ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSC076N06NS3GATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
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