BSC057N08NS3GATMA1

BSC057N08NS3 G ist ein 80V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der eine herausragende Lösung für SNT mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte darstellt. Der OptiMOS™-MOSFET bietet den branchenweit niedrigsten RDS(on) innerhalb seiner Spannungsklasse. Er eignet sich hervorragend für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und bietet eine optimierte Technologie für DC/DC-Wandler.

• Doppelseitige Kühlung
• Niedrige parasitäre Induktivität
• Flache Bauweise (<lt/>0.7mm)
• Geringe Schalt- und Leitungsverluste
• Sehr niedriger Durchgangswiderstand RDS(ON)
• Herausragender Wärmewiderstand

Anwendungen

Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Power-Management, LED-Beleuchtung, Motorantrieb & -steuerung

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.