Seite drucken
BSC042NE7NS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0042 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC042NE7NS3GATMA1
Bestellnummer2432706RL
Auch bekannt alsBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Technisches Datenblatt
455 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 1,560 € |
| 250+ | 1,270 € |
| 1000+ | 1,080 € |
| 3000+ | 1,030 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
161,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC042NE7NS3GATMA1
Bestellnummer2432706RL
Auch bekannt alsBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0042ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.1V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSC042NE7NS3 G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit OptiMOS™-Technologie speziell für Synchrongleichrichtungsanwendungen. Dieser MOSFET basiert auf der führenden 80V-Technologie. Dieses 75V-Produkt bietet gleichzeitig den niedrigsten Durchgangswiderstand und eine herausragende Schaltleistung.
- Beste Schaltleistung
- Niedrigster Durchgangswiderstand RDS(on)
- Sehr niedrige Qg und Qgd
- Hervorragendes Gateladung x RDS (ON)-Produkt (FOM)
- Schutzart: MSL1
- Umweltfreundlich
- Höherer Wirkungsgrad
- Höchste Leistungsdichte
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
- Vereinfachtes Produktdesign
- Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler
- Normal-Level
- Herausragender Wärmewiderstand
- 100% Avalanche-getestet
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Umweltfreundliches Produkt
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio, Kommunikation & Netzwerke
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0042ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSC042NE7NS3GATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung