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BSC034N06NSATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,060 € |
| 10+ | 0,867 € |
| 100+ | 0,751 € |
| 500+ | 0,712 € |
| 1000+ | 0,692 € |
| 5000+ | 0,672 € |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC034N06NSATMA1
Bestellnummer2781053
ProduktpaletteOptiMOS
Auch bekannt alsBSC034N06NS, SP001067010
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0028ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung74W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
74W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0028ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSC034N06NSATMA1
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000013
Produktnachverfolgung