BSC028N06LS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,180 € |
| 500+ | 1,100 € |
| 1000+ | 1,050 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
BSC028N06LS3 G ist ein 60V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen optimiert ist, wie sie in Servern, Desktop-Rechnern und Tablet-Ladegeräten verwendet werden. Der MOSFET bietet einen um 40% niedrigeren RDS (ON) im Vergleich zu alternativen Bausteinen. Dank deutlich reduzierter Gate-Ladung und Ausgangsladung werden ein hoher Systemwirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte erreicht. Der OptiMOS™-Leistungs-MOSFET ist ideal geeignet für hohe Schaltfrequenzen und DC/DC-Wandler.
- Höchster Systemwirkungsgrad
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Höhere Leistungsdichte
- Platzsparend
- Sehr geringes Spannungsüberschwingen
- Herausragender Wärmewiderstand
Anwendungen
Power-Management, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
100A
TDSON
10V
139W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
60V
0.0028ohm
Oberflächenmontage
1.7V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSC028N06LS3GATMA1
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat