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BGA855N6E6327XTSA1
HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBGA855N6E6327XTSA1
Bestellnummer3021690RL
Auch bekannt alsBGA 855N6 E6327, SP002337750
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,297 € |
| 500+ | 0,269 € |
| 1000+ | 0,261 € |
| 2500+ | 0,256 € |
| 5000+ | 0,251 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBGA855N6E6327XTSA1
Bestellnummer3021690RL
Auch bekannt alsBGA 855N6 E6327, SP002337750
Technisches Datenblatt
Frequenz, min.1.164GHz
Frequenz, max.1.3GHz
Verstärkung17.8dB
Rauschmaß, typ.0.6dB
Bauform - HF-ICTSNP
Anzahl der Pins6Pin(s)
Versorgungsspannung, min.1.1V
Versorgungsspannung, max.3.3V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
BGA855N6E6327XTSA1 is a low-noise amplifier for lower L-band GNSS applications. It is designed to enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5, especially for very high accuracy. Besides GPS L5 and L2, the GNSS LNA also covers Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2 and Beidou B3 and B2 bands. The high linearity performance of BGA855N6 ensures the best sensitivity for the operation in 4G and 5G NSA configurations. OFF-state can be enabled by PON pin.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Operating frequency range from 1164 to 1300MHz
- B9HF silicon germanium technology, 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
- RF output internally matched to 50 ohm
- Only one external matching component needed
- Supply voltage range from 1.1 to 3.3V at TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V, f=1164 - 1300MHz
- Supply current is 4.4mA typ at ON-mode, TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V, f=1164 - 1300MHz
- Insertion power gain is 17.6dB typ at f=1214MHz, TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V
- Ultra small TSNP-6-10 leadless package
- Ambient temperature range from -40 to 85°C
Hinweise
Stresses above the maximum values listed here may cause permanent damage to the device.
Technische Spezifikationen
Frequenz, min.
1.164GHz
Verstärkung
17.8dB
Bauform - HF-IC
TSNP
Versorgungsspannung, min.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, max.
1.3GHz
Rauschmaß, typ.
0.6dB
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Versorgungsspannung, max.
3.3V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008