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BFR35APE6327HTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR35APE6327HTSA1
Bestellnummer2726104RL
Auch bekannt alsBFR 35AP E6327, SP000011060
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,120 € |
| 500+ | 0,113 € |
| 1000+ | 0,108 € |
| 5000+ | 0,105 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR35APE6327HTSA1
Bestellnummer2726104RL
Auch bekannt alsBFR 35AP E6327, SP000011060
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.15V
Übergangsfrequenz5GHz
Verlustleistung280mW
Dauerkollektorstrom45mA
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
5GHz
Dauerkollektorstrom
45mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
15V
Verlustleistung
280mW
Bauform - Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung