Seite drucken
BFR182WH6327XTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR182WH6327XTSA1
Bestellnummer2480679RL
Auch bekannt alsBFR 182W H6327, SP000750420
Technisches Datenblatt
3.191 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 250+ | 0,0583 € |
| 1000+ | 0,0526 € |
| 5000+ | 0,0478 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 5
34,15 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR182WH6327XTSA1
Bestellnummer2480679RL
Auch bekannt alsBFR 182W H6327, SP000750420
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz8GHz
Verlustleistung250mW
Dauerkollektorstrom35mA
Bauform - TransistorSOT-323
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BFR 182W H6327 is a NPN low-noise Silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 to 20mA. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Wireless, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
8GHz
Dauerkollektorstrom
35mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
SOT-323
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048
Produktnachverfolgung