Seite drucken
BFP540FESDH6327XTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP540FESDH6327XTSA1
Bestellnummer2480670RL
Auch bekannt alsBFP 540FESD H6327, SP000745300
Technisches Datenblatt
2.868 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,394 € |
| 500+ | 0,284 € |
| 1000+ | 0,220 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
44,40 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP540FESDH6327XTSA1
Bestellnummer2480670RL
Auch bekannt alsBFP 540FESD H6327, SP000745300
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.4.5V
Übergangsfrequenz30GHz
Verlustleistung250mW
Dauerkollektorstrom80mA
Bauform - TransistorTSFP
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BFP 540FESD H6327 is a low-noise Silicon Bipolar RF Transistor designed for high gain low-noise amplifier applications.
- Excellent ESD performance
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, HF-Kommunikation, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
30GHz
Dauerkollektorstrom
80mA
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
4.5V
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
TSFP
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008