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BFP540ESDH6327XTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP540ESDH6327XTSA1
Bestellnummer2480669RL
Auch bekannt alsBFP 540ESD H6327, SP000745298
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,240 € |
| 500+ | 0,229 € |
| 1500+ | 0,219 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP540ESDH6327XTSA1
Bestellnummer2480669RL
Auch bekannt alsBFP 540ESD H6327, SP000745298
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.4.5V
Übergangsfrequenz30GHz
Verlustleistung250mW
Dauerkollektorstrom80mA
Bauform - TransistorSOT-343
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
30GHz
Dauerkollektorstrom
80mA
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
4.5V
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
SOT-343
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048
Produktnachverfolgung