Seite drucken
BFP196E6327HTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP196E6327HTSA1
Bestellnummer2443518
Auch bekannt alsBFP 196 E6327, SP000011027
Technisches Datenblatt
11.325 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,200 € |
| 10+ | 0,122 € |
| 100+ | 0,0953 € |
| 500+ | 0,0905 € |
| 1000+ | 0,0858 € |
| 5000+ | 0,0801 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
1,00 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP196E6327HTSA1
Bestellnummer2443518
Auch bekannt alsBFP 196 E6327, SP000011027
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz8GHz
Verlustleistung250mW
Dauerkollektorstrom65mA
Bauform - TransistorSOT-143
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
NPN silicon RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA.
- Power amplifier for DECT and PCN systems
- fT = 7.5GHz, F = 1.3dB at 900MHz
- Qualified according AEC Q101
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
8GHz
Dauerkollektorstrom
65mA
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
SOT-143
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung