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BFP183E7764HTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP183E7764HTSA1
Bestellnummer2726095RL
Auch bekannt alsBFP 183 E7764, SP000011018
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,132 € |
| 250+ | 0,103 € |
| 1000+ | 0,0934 € |
| 9000+ | 0,0801 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP183E7764HTSA1
Bestellnummer2726095RL
Auch bekannt alsBFP 183 E7764, SP000011018
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz8GHz
Verlustleistung250mW
Dauerkollektorstrom65mA
Bauform - TransistorSOT-143
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
8GHz
Dauerkollektorstrom
65mA
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
SOT-143
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung