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AUIRFN8405TR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 187 A, 0.0016 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,890 € |
| 500+ | 1,590 € |
| 1000+ | 1,450 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
194,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRFN8405TR
Bestellnummer2579962RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001519644
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id187A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0016ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.9V
Verlustleistung136W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
187A
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
136W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.9V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für AUIRFN8405TR
1 Produkt(e) gefunden
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2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007983
Produktnachverfolgung