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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMDQ75R016M1HXUMA1
Bestellnummer4295099RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
Auch bekannt alsAIMDQ75R016M1H, SP005545098
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
10+ | 13,820 € |
50+ | 12,820 € |
100+ | 11,810 € |
250+ | 11,570 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMDQ75R016M1HXUMA1
Bestellnummer4295099RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
Auch bekannt alsAIMDQ75R016M1H, SP005545098
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id98A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorHDSOP
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung384W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
384W
Produktpalette
CoolSiC Gen I Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0013
Produktnachverfolgung