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S5973
Photodiode, 1pA, 760nm, TO-18-3
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 23,450 € |
| 5+ | 20,280 € |
| 10+ | 17,320 € |
| 50+ | 16,240 € |
| 100+ | 15,590 € |
| 250+ | 14,850 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerHAMAMATSU
HerstellerteilenummerS5973
Bestellnummer1495575
Technisches Datenblatt
Anzahl der Pins3Pin(s)
Bauform - DiodeTO-18
Wellenlänge bei Spitzensensitivität760nm
Winkel halber Empfindlichkeit ±-
Dunkelstrom1pA
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.100°C
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktbeschreibung
Die Produktreihe S5973 von Hamamatsu umfasst bedrahtete Si-PIN-Fotodioden in TO-18-Bauform. Dieser Baustein ist ausgelegt für die Erfassung von sichtbarem und nahem Infrarotlicht. Die Fotodiode eignet sich für die Erfassung von violettem Laser und High-Speed-Photometrie, da sie Breitbandfunktionen bei geringer Vorspannung bieten.
- Kurze Ansprechzeit
- Hohe Empfindlichkeit
- Hohe Zuverlässigkeit
- Dunkelstrom: 1pA bei VR=10V
- Grenzfrequenz: 1GHz bei VR=3.3V
- Anschlusskapazität: 1.6pF bei f=1MHz und VR=3.3V
Anwendungen
Industrie, Glasfaseroptik
Technische Spezifikationen
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität
760nm
Dunkelstrom
1pA
Betriebstemperatur, max.
100°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Bauform - Diode
TO-18
Winkel halber Empfindlichkeit ±
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00058