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G2R1000MT33J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 17,810 € |
| 5+ | 16,960 € |
| 10+ | 16,100 € |
| 50+ | 15,460 € |
| 100+ | 15,060 € |
| 250+ | 14,660 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerGENESIC
HerstellerteilenummerG2R1000MT33J
Bestellnummer3598638
ProduktpaletteG2R
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Spannung Vds3.3kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand1ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung74W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteG2R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
3.3kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
74W
Produktpalette
G2R
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001393