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DI006N06PW-AQ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 6 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,355 € |
| 500+ | 0,302 € |
| 1000+ | 0,276 € |
| 5000+ | 0,210 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerDIOTEC
HerstellerteilenummerDI006N06PW-AQ
Bestellnummer4555460RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds65V
Dauer-Drainstrom Id6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung1.67W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
65V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
6A
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.67W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000039
Produktnachverfolgung