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ZXTN5551GTA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,195 € |
| 1000+ | 0,150 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXTN5551GTA
Bestellnummer3943407RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauerkollektorstrom600mA
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz130MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
130MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung