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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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500+ | 0,205 € |
1000+ | 0,184 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXTN4004KTC
Bestellnummer3127510RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo150V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.150V
DC-Kollektorstrom1A
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung3.8W
Verlustleistung Pd3.8W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung hFE60hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
ZXTN4004KTC is a NPN LED driving transistor.
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, PPAP capable
- Power dissipation is 3.8W at TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- Collector-base breakdown voltage is 150V min at IC = 0.1mA, TA = +25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 7V min at IE = 0.1mA, TA = +25°C
- Collector-emitter saturation voltage is 0.25V max at IC = 100mA, IB = 5mA, TA = +25°C
- Base-emitter turn-on voltage is 0.71V typ at IC = 150mA, VCE = 0.25V
- Delay time is 512ns typ at VCC = 120V, IC = 150mA, -IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.25V
- Rise time is 426ns typ at VCC = 120V, IC = 150mA, -IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.25V
- Storage time is 3413ns typ at VCC = 120V, IC = 150mA, -IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.25V
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
150V
Dauerkollektorstrom
1A
Verlustleistung Pd
3.8W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
150V
DC-Kollektorstrom
1A
Verlustleistung
3.8W
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE
60hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000379
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