ZXMP6A18DN8TA
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,894 € |
| 500+ | 0,694 € |
| 1000+ | 0,680 € |
| 5000+ | 0,666 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell ZXMP6A18DN8TA handelt es sich um einen zweifachen p-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp) mit Kunststoffgehäuse und lötbaren Anschlüssen gemäß MIL-STD-202 mit Mattverzinnung. Dieser MOSFET ist ausgelegt zur Minimierung des Durchgangswiderstands und behält dennoch eine herausragende Schaltleistung bei, wodurch er sich hervorragend für Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad eignet.
- Niedriger ON-Widerstand
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedriger Schwellenwert
- Niedriger Gate-Drive
- Gehäuse mit geringer Bauhöhe
- Halogenfrei, umweltfreundlich
- Kunststoffgehäuse flammfest gemäß UL94V-0
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL1 gemäß J-STD-020
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
p-Kanal
3.7A
SOIC
10V
1.25W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
0.055ohm
Oberflächenmontage
1V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat