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ZXMP4A16GTA
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| 200+ | 0,500 € |
| 500+ | 0,407 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXMP4A16GTA
Bestellnummer7564945RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung3.9W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der ZXMP4A16GTA ist ein P-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp. Diese neue MOSFET-Generation ist für einen minimalen Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei gleichzeitig hoher Schaltleistung ausgelegt und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen geeignet. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Power-Management-Funktionen, Hintergrundbeleuchtung.
- Niedrige Eingangskapazität; niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltfrequenz
- Drain-Source-Spannung: -40V bei TA = +25°C
- Gate-Source-Spannung: ±20V bei TA = +25°C
- Kontinuierlicher Drainstrom: -6.4A bei TA=+25°C, VGS=-10V, eingeschwungen
- Gepulster Drainstrom: -21A bei TA=+25°C
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 60 mOhm bei VGS = -10V, ID = -3.8A, TA = +25°C
- Gate-Schwellenspannung: min. -1.0V bei VDS = VGS, ID = -250µA, TA = +25°C
- Gehäuse: SOT223 (Typ DN)
- Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.4A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.9W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012