Seite drucken
ZXM61P02F
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
7.716 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,310 € |
| 500+ | 0,248 € |
| 1500+ | 0,187 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
36,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXM61P02F
Bestellnummer9525297RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.6ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.700mV
Verlustleistung625mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The ZXM61P02F is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish terminals as per MIL-STD-202 standard. It utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed, making it ideal for high-efficiency power management applications.
- Low threshold
- Low gate drive
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
900mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
625mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
700mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000066
Produktnachverfolgung