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ZXM61N03F
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXM61N03F
Bestellnummer9525289RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.22ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung625mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der ZXM61N03F ist ein N-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp, der eine einzigartige Struktur nutzt, welche die Vorzüge eines niedrigen Einschaltwiderstands und einer hohen Schaltgeschwindigkeit verbindet. Damit ist dieser Baustein ideal für Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und niedriger Spannung geeignet. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Power-Management-Funktionen, Trennschalter, Motorsteuerung.
- Niedriger Einschaltwiderstand, hohe Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Gate-Ansteuerung, niedrige Schwellenspannung
- Drain-Source-Spannung: 30V
- Gate-Source-Spannung: ±20V
- Kontinuierlicher Drainstrom: 1.4A bei TA=+25°C, VGS=10V
- Drain-Source-Durchbruchspannung: min. 30V bei ID=-250µA, VGS=0V, TA=25°C
- Gate-Source-Schwellenspannung: min. 1V bei ID=-250µA, VDS=VGS, TA=25°C
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 0.22 Ohm bei VGS=10V, ID=0.91A, TA=25°C
- Gehäuse: SOT23
- Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.4A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
625mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.22ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für ZXM61N03F
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung