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500+ | 0,222 € |
1500+ | 0,209 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZVP1320FTA
Bestellnummer2061503RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id35mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand80ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung330mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The ZVP1320FTA is a -200V P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with NiPdAu over Copper lead frame terminals solderable as per MIL-STD-202 standard, method 208.
- Maximum continuous drain current
- AEC-Q101 qualified
- UL94V-0 Flammability rating
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio, Fahrzeugelektronik
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
330mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
80ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000544
Produktnachverfolgung