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MMDT5451-7-F
Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,324 € |
| 10+ | 0,197 € |
| 100+ | 0,124 € |
| 500+ | 0,0915 € |
| 1000+ | 0,0781 € |
| 5000+ | 0,0667 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerMMDT5451-7-F
Bestellnummer1773648
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätKomplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.160V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN200mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP200mA
Verlustleistung, NPN200mW
Verlustleistung, PNP200mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.80hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.80hFE
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN300MHz
Übergangsfrequenz, PNP300MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMDT5451-7-F ist ein Kleinsignal-Bipolartransistor-Array mit NPN-PNP-Komplementärpaar, der sich hervorragend eignet für Verstärkungs- und Schaltanwendungen im mittleren Leistungsbereich.
- Flammfest gemäß UL94V-0
- Epitaxial-Planar-Konstruktion
- Äußerst kompaktes SMD-Gehäuse
- Umweltfreundliches Produkt
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
- Komplementärpaar (5551 - NPN und 5401 - PNP)
Anwendungen
Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt, Power-Management, Industrie
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
200mA
Verlustleistung, PNP
200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
80hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
300MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
200mA
Verlustleistung, NPN
200mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
80hFE
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
300MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
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