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MMBT3904T-7-F
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerMMBT3904T-7-F
Bestellnummer1773615RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom200mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-523
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT3904T-7-F ist ein bipolarer NPN-Kleinsignaltransistor zur Oberflächenmontage, der einen Dauer-Kollektorstrom von 200mA und eine Kollektor-Basis-Spannung von 60V bietet.
- Flammfest gemäß UL94V-0
- Epitaxial-Planar-Konstruktion
- Äußerst kompaktes SMD-Gehäuse
- Komplementärer PNP-Baustein: MMBT3906T
- Umweltfreundliches Produkt
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt, Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
200mA
Bauform - Transistor
SOT-523
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBT3904T-7-F
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536