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FZT851
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFZT851
Bestellnummer9526323RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom6A
Verlustleistung3W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz130MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FZT851 is a 60V NPN medium power transistor in a 4 pin SOT223 package.
- BVCEO is greater than 60V
- IC = 6A high continuous collector current
- ICM = 20A peak pulse current
- Low saturation voltage VCE(sat) < 100mV at 1A
- RCE(sat) = 44mohm for a low equivalent on-resistance
- hFE specified up to 10A for a high gain hold up
- Complementary PNP type: FZT951
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
6A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
3W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
130MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012
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