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FZT751
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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| 200+ | 0,504 € |
| 500+ | 0,401 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFZT751
Bestellnummer9525025RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom3A
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz140MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Beim Modell FZT751 handelt es sich um einen leistungsstarken PNP-Transistor mit verzinnten Anschlüssen, einem Kunststoffgehäuse gemäß UL94V-0 und Lötanschlüssen gemäß MIL-STD-202, Methode 208.
- Ergänzung für FZT651
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL1 gemäß J-STD-020
- Umweltfreundliches Produkt
- AEC-Q101-qualifiziert
- PPAP-fähig
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Beleuchtung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
140MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012
Produktnachverfolgung