Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
1.338 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,200 € |
500+ | 0,149 € |
1500+ | 0,125 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
25,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFMMT495TA
Bestellnummer3127389RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.150V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo150V
DC-Kollektorstrom1A
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung500mW
Verlustleistung Pd500mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
DC-Stromverstärkung hFE100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FMMT495TA is a NPN silicon planar medium power transistor.
- 500mW power dissipation at TA = +25°C
- hFE characterized up to 1A for high current gain hold up
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, PPAP capable
- Collector-base voltage is 170V at TA = +25°C
- Emitter-base voltage is 7V at TA = +25°C
- Continuous collector current is 1A at TA = +25°C
- Peak pulse current is 2A at TA = +25°C
- Base current is 200mA at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
150V
Dauerkollektorstrom
1A
Verlustleistung Pd
500mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
DC-Stromverstärkung hFE
100hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
150V
DC-Kollektorstrom
1A
Verlustleistung
500mW
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000045
Produktnachverfolgung