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DXTN3C100PSQ-13
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDXTN3C100PSQ-13
Bestellnummer3943178RL
ProduktpaletteDXT Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,349 € |
| 500+ | 0,268 € |
| 1000+ | 0,242 € |
| 5000+ | 0,200 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDXTN3C100PSQ-13
Bestellnummer3943178RL
ProduktpaletteDXT Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom3A
Verlustleistung2.5W
Bauform - TransistorPowerDI5060
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Übergangsfrequenz140MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.10hFE
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteDXT Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
PowerDI5060
Anzahl der Pins
8Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
10hFE
Produktpalette
DXT Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
2.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
140MHz
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001