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DSS2540M-7B
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDSS2540M-7B
Bestellnummer3943153RL
ProduktpaletteDSS Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0995 € |
| 1000+ | 0,0794 € |
| 5000+ | 0,0689 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDSS2540M-7B
Bestellnummer3943153RL
ProduktpaletteDSS Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung1W
Bauform - TransistorX1-DFN1006
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteDSS Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
500mA
Bauform - Transistor
X1-DFN1006
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Produktpalette
DSS Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
1W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung