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DMTH10H2M5STLW-13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMTH10H2M5STLW-13
Bestellnummer3589209RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,660 € |
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Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMTH10H2M5STLW-13
Bestellnummer3589209RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00168ohm
Bauform - TransistorPowerDI 1012
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung5.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
248A
Bauform - Transistor
PowerDI 1012
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
5.8W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00168ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung