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DMP6180SK3-13
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,296 € |
| 1000+ | 0,254 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMP6180SK3-13
Bestellnummer3577038RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id14A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.06ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.11ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung Pd1.7W
Verlustleistung1.7W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der DMP6180SK3-13 ist ein P-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp. Diese neue MOSFET-Generation ist für einen minimalen Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei gleichzeitig hoher Schaltleistung ausgelegt und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen geeignet. Typische Anwendungen umfassen: Power-Management-Funktionen, DC/DC-Wandler und Analogschalter.
- Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Eingangskapazität
- Drain-Source-Spannung: -60V bei TA = +25°C
- Gate-Source-Spannung: ±20V bei TA = +25°C
- Kontinuierlicher Drainstrom: -14A bei TC = 25°C, VGS = -10V, eingeschwungen
- Gepulster Drainstrom (10µs Impuls, Tastverhältnis = 1%): -25A bei TA = +25°C
- Verlustleistung, gesamt: 1.7W bei TA = +25°C
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 110 mOhm bei VGS = -10V, ID = -12A, TA = +25°C
- Body-Dioden-Durchlassstrom: max. -4.1A bei TA = +25°C
- Gehäuse: TO252 (DPAK)
- Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.06ohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
1.7W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.11ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Verlustleistung
1.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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