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DMP4015SK3-13
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| 1000+ | 0,332 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMP4015SK3-13
Bestellnummer2543554RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung3.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMP4015SK3-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include backlighting, power-management functions, DC-DC converters.
- 100% unclamped inductive switch (UIS) test in production
- Low on-resistance, fast switching speed
- Drain-source voltage is -40V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±25V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -35A at TC = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -100A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 3.5W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 11mohm max at VGS = -10V, ID = -9.8A, TA = +25°C
- TO252 (DPAK) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001814
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