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DMP2120U-7
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMP2120U-7
Bestellnummer3405186RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.062ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung800mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMP2120U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, VGS = -4.5V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.8W
- Static drain-source on-resistance is 62mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.8A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
800mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.062ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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