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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN6140L-7
Bestellnummer2543545RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung700mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMN6140L-7 von DIODES ist ein 60V-n-Kanal- MOSFET (Anreicherungstyp), der ausgelegt ist zur Minimierung des Durchgangswiderstands und dennoch eine herausragende Schaltleistung beibehalt, wodurch er sich hervorragend fur Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad eignet.
- Unter anderem geeignet fur DC/DC-Wandler, Power-Management-Funktionen
- Niedriger Durchgangswiderstand
- Niedrige Eingangskapazitat
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedriger Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.6A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
700mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für DMN6140L-7
3 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363