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DMN6068SE-13

Name: DIODES INC. DMN6068SE-13
Brand: DIODES INC.
SKU: 3127342RL
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerDIODES INC.

HerstellerteilenummerDMN6068SE-13

Bestellnummer3127342RL

Technisches Datenblatt

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Menge	Preis (ohne MwSt.)
50+	0,453 €
250+	0,301 €
1000+	0,204 €
2000+	0,200 €

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Produktspezifikationen

HerstellerDIODES INC.

HerstellerteilenummerDMN6068SE-13

Bestellnummer3127342RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Wandlerpolaritätn-Kanal

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds60V

Dauer-Drainstrom Id4.1A

Betriebswiderstand, Rds(on)0.068ohm

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.068ohm

Bauform - TransistorSOT-223

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V

Verlustleistung Pd2W

Verlustleistung2W

Anzahl der Pins4Pin(s)

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

DMN6068SE-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT223 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, transformer driving switch, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.

Dain-source voltage is 60V
Gate-source voltage is ±20V
Pulsed drain current is 20.8A
Continuous drain current is 4.5A (VGS = 10V, TA = +70°C)
Low on-resistance
Fast switching speed
100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application

Hinweise

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Technische Spezifikationen

Wandlerpolarität

n-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds

60V

Betriebswiderstand, Rds(on)

0.068ohm

Bauform - Transistor

SOT-223

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung Pd

Anzahl der Pins

4Pin(s)

Produktpalette

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Kanaltyp

n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

4.1A

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.068ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Verlustleistung

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Technische Dokumente (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000121

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