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DMN2710UT-13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,145 € |
| 500+ | 0,107 € |
| 1000+ | 0,085 € |
| 5000+ | 0,0833 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN2710UT-13
Bestellnummer3702792RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.14ohm
Bauform - TransistorSOT-523
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung520mW
Verlustleistung Pd520mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Bauform - Transistor
SOT-523
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
520mW
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
870mA
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.14ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Verlustleistung Pd
520mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung