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DMN1029UFDB-7
Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,498 € |
| 10+ | 0,355 € |
| 100+ | 0,228 € |
| 500+ | 0,172 € |
| 1000+ | 0,154 € |
| 5000+ | 0,111 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN1029UFDB-7
Bestellnummer3680117
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal12V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal5.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.017ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.017ohm
Bauform - TransistorU-DFN2020
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.4W
Verlustleistung, p-Kanal1.4W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.017ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.4W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.017ohm
Bauform - Transistor
U-DFN2020
Verlustleistung, n-Kanal
1.4W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung