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DMN1019UVT-7
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,189 € |
| 500+ | 0,167 € |
| 1000+ | 0,146 € |
| 5000+ | 0,109 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN1019UVT-7
Bestellnummer3943505RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id10.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.007ohm
Bauform - TransistorTSOT-26
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.530mV
Verlustleistung1.73W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10.7A
Bauform - Transistor
TSOT-26
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.73W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.007ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
530mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung