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DMG6602SVTX-7
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,128 € |
| 500+ | 0,121 € |
| 1000+ | 0,113 € |
| 5000+ | 0,0762 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMG6602SVTX-7
Bestellnummer3944067RL
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.035ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.035ohm
Bauform - TransistorTSOT-26
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1W
Verlustleistung, p-Kanal1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.035ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.035ohm
Bauform - Transistor
TSOT-26
Verlustleistung, n-Kanal
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung